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全面围堵!美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备定许快六本思四已所告界拉往船望或师结

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近日,有媒体报道称,为了全面围堵中国半导体的发展,美国官员计划对14nm及以下的芯片制造设备,以及128层以上的存储芯片制造设备进行禁止,不允许供应商们对位于中国大陆的厂商出货。

  

为何要禁止14nm及以下的芯片制造设备?原因在于28nm是成熟工艺与先进工艺的分界线nm算是先进工艺了,所以要禁止,只能让我们制造成熟工艺的芯片,停留在成熟工艺上,然后先进工艺的芯片,从美国买,然后美国获得巨额利益。

  

  

而为何要禁128层以上的存储设备制造设备?原因在于128层的NAND闪存,在当前其实也算是成熟工艺了,长江存储早已量产了。

  

像三星、SK海力士等早就进入了192层,甚至200+层,最近美光不就表示已经推出了232层 3D NAND闪存了么?

  

禁128层以上设备,相当于就阻止中国存储芯片厂商,进入了更先进的技术,只能停留在128层技术上。

  

  

据称,这个禁令针对的是所有位于中国大陆的厂商,不管这个厂商是不是中国本土的厂商。意思就是假如台积电、intel、三星等企业,在中国大陆设的厂,也一样要被禁止。

  

很明显,美国就是全方面的进行围堵我们的半导体产业掌握先进技术,希望我们只能掌握成熟的技术,这样就离不开美国的芯片,一直被美国卡着脖子,那么我们的高科技产业,就一直处于美国掌握之中。

  

  

不过,当前这个禁令还只是某些官员提出,并没有真正的成为政策执行,但接下来会不会执行,还是未知数。

  

但这则消息已经反映出一个现象,那就阻止中国科技产业崛起,可能已经是美国某些政客的共识了,这对于我们而言,确实不是一个好消息。

  

再考虑到美国之前通过的520亿美元的芯片补贴计划,要锁死中国高端芯片产业10年,逼芯片巨头们二选一,所以我们接下来发展半导体产业,只能靠自己,不能对外有任何幻想,一定要全产业链崛起才行。

  微软原文标题!全面围堵!美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备

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