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全面围堵!美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备工向事比阶连动进成法题建天时过六本思今其书

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近日,有媒体报道称,为了全面围堵中国半导体的发展,美国官员计划对14nm及以下的芯片制造设备,以及128层以上的存储芯片制造设备进行禁止,不允许供应商们对位于中国大陆的厂商出货。

  

为何要禁止14nm及以下的芯片制造设备?原因在于28nm是成熟工艺与先进工艺的分界线nm算是先进工艺了,所以要禁止,只能让我们制造成熟工艺的芯片,停留在成熟工艺上,然后先进工艺的芯片,从美国买,然后美国获得巨额利益。

  

  

而为何要禁128层以上的存储设备制造设备?原因在于128层的NAND闪存,在当前其实也算是成熟工艺了,长江存储早已量产了。

  

像三星、SK海力士等早就进入了192层,甚至200+层,最近美光不就表示已经推出了232层 3D NAND闪存了么?

  

禁128层以上设备,相当于就阻止中国存储芯片厂商,进入了更先进的技术,只能停留在128层技术上。

  

  

据称,这个禁令针对的是所有位于中国大陆的厂商,不管这个厂商是不是中国本土的厂商。意思就是假如台积电、intel、三星等企业,在中国大陆设的厂,也一样要被禁止。

  

很明显,美国就是全方面的进行围堵我们的半导体产业掌握先进技术,希望我们只能掌握成熟的技术,这样就离不开美国的芯片,一直被美国卡着脖子,那么我们的高科技产业,就一直处于美国掌握之中。

  

  

不过,当前这个禁令还只是某些官员提出,并没有真正的成为政策执行,但接下来会不会执行,还是未知数。

  

但这则消息已经反映出一个现象,那就阻止中国科技产业崛起,可能已经是美国某些政客的共识了,这对于我们而言,确实不是一个好消息。

  

再考虑到美国之前通过的520亿美元的芯片补贴计划,要锁死中国高端芯片产业10年,逼芯片巨头们二选一,所以我们接下来发展半导体产业,只能靠自己,不能对外有任何幻想,一定要全产业链崛起才行。

  微软原文标题!全面围堵!美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备

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